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元件参数资料
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参数目录41979
> IRFR120NTRPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
型号:
IRFR120NTRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFR120NTRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet DPak
标准包装
2,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
210 毫欧 @ 5.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 25V
功率 - 最大
48W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRFR120NPBFTR
IRFR120NTRPBF-ND
IRFR120NTRPBFTR-ND
查看IRFR120NTRPBF代理商
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